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SiC半導(dǎo)體中膜厚測(cè)量解決方案

2025-09-02 15:00:02 admin


SiC半導(dǎo)體中

膜厚測(cè)量解決方案


優(yōu)尼康科技有限公司




目錄

01

SiC半導(dǎo)體材料概述

02

SiC材料的優(yōu)點(diǎn)

03

SiC器件種類

04

SiC半導(dǎo)體應(yīng)用

05

SiC半導(dǎo)體廠商

06

SiC半導(dǎo)體測(cè)量需求

01

  SiC半導(dǎo)體材料概述 

圖片關(guān)鍵詞

隨著第一代和第二代半導(dǎo)體材料發(fā)展的成熟,目前在大規(guī)模使用的Si功率器件已經(jīng)達(dá)到其性能瓶頸,Si功率器件的工作頻率、功率、耐熱溫度、能效、耐惡劣環(huán)境及小型化等性能的提高面臨難以逾越的瓶頸。

圖片關(guān)鍵詞

現(xiàn)代科技越來越多的領(lǐng)域需要高頻率、高功率、耐高溫、化學(xué)穩(wěn)定性好的第三代半導(dǎo)體,而作為第三代半導(dǎo)體優(yōu)秀代表的SiC(Silcon carbide),越來越多的受到人們的關(guān)注。

圖片關(guān)鍵詞

作為一種新型的半導(dǎo)體材料,SiC以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造短波長(zhǎng)光電子器件、高溫器件、抗輻照器件和大功率/高額電子器件重要的半導(dǎo)體材料。特別是在條件和惡劣條件下應(yīng)用時(shí),SiC器件的特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了Si器件和GaAs器件。因此,SiC器件和各類傳感器已逐步成為關(guān)鍵器件之一,發(fā)揮著越來超重要的作用。

從20世紀(jì)80年代起,特別是1989年第一種SiC襯底圓片進(jìn)入市場(chǎng)以來,SiC器件和電路獲得了快速的發(fā)展。在某些領(lǐng)域,如發(fā)光二極管、高頻大功率和高電壓器件等,SiC器件已經(jīng)得到較廣泛的商業(yè)應(yīng)用。



02

 SiC材料的優(yōu)點(diǎn) 

Sic碳化硅材料一般有以下幾個(gè)優(yōu)點(diǎn):

1.

高擊場(chǎng)強(qiáng)

2.

導(dǎo)熱系數(shù)高

3.

高溫抗氧化能力強(qiáng)

4.

耐磨性能好

5.

化學(xué)性能穩(wěn)定

6.

高飽和以及電子漂移速率

SiC與Si和GaAs的有關(guān)參數(shù)的對(duì)比

圖片關(guān)鍵詞

03

  SiC器件種類 

碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。

功率二極管

結(jié)勢(shì)壘肖特基(JBS)二極管

PiN二極管和超結(jié)二極管

功率開關(guān)管

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管(MOSFET)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管(JFET)

雙極型開關(guān)管(BJT)

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)

門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)

發(fā)射極可關(guān)斷晶閘管(ETO)

圖片6.png

04

  SiC半導(dǎo)體應(yīng)用 

碳化硅半導(dǎo)體器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對(duì)效率或溫度要求嚴(yán)苛的應(yīng)用??蓮V泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。

圖片5.png

05

SiC半導(dǎo)體廠商 

國(guó)外廠商

國(guó)內(nèi)廠商

德國(guó)英飛凌

株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體

美國(guó)Cree公司

啟迪新材料(蕪湖)

GE

無錫華潤(rùn)上華科技

日本羅姆公司

...


06

 SiC半導(dǎo)體測(cè)量需求 

SiC半導(dǎo)體工藝量測(cè)中,常見的膜厚測(cè)試種類:

Α-Si (1000-20000A)

SiNx (100-4000A)

SiO2 (30-10000A)

USG (1000-20000A)

C膜 (100-2000A)

BPSG (1000-20000A)

POLY (1000A-20000A)


匹配產(chǎn)品型號(hào)

圖片關(guān)鍵詞

F50-UV

圖片關(guān)鍵詞

F54-UV

測(cè)量參數(shù)

圖片關(guān)鍵詞

測(cè)量數(shù)據(jù)

圖片關(guān)鍵詞

C on SiC

圖片關(guān)鍵詞

POLY on SiC

圖片關(guān)鍵詞

SiO2 on SiC

圖片關(guān)鍵詞

SiNx on SiC

圖片關(guān)鍵詞

USG on SiC

圖片關(guān)鍵詞

BPSG on SiC


本文作者

圖片關(guān)鍵詞

胡樹棟

華東區(qū)銷售經(jīng)理

薄膜測(cè)量行業(yè)從業(yè)十多年,對(duì)于薄膜量測(cè)的方案解決有著豐富的經(jīng)驗(yàn)。讓微流控芯片行業(yè)中需要量測(cè)流道形貌及深度這類原本比較棘手的問題得到了解決。

長(zhǎng)風(fēng)破浪會(huì)有時(shí),直掛云帆濟(jì)滄海

圖片關(guān)鍵詞


我們深耕薄膜測(cè)量行業(yè)十多年,不論您在薄膜測(cè)量方面有什么問題,我們的技術(shù)專家都可以為您提供有價(jià)值的建議或解決方案。歡迎來電,我們很高興與您討論您的應(yīng)用問題。


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