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- / 白光干涉技術(shù)精準表征電介質(zhì)薄膜厚度與光學常數(shù)
摘要：
電介質(zhì)薄膜是光學、半導體等高端制造領域的核心材料，其厚度與光學常數(shù)的精確測量直接關(guān)系到產(chǎn)品性能與良率。優(yōu)尼康科技憑借Filmetrics白光干涉膜厚儀的測量技術(shù)，為客戶提供快速、精準的電介質(zhì)薄膜全套解決方案，賦能研發(fā)與質(zhì)控。
白光干涉技術(shù)原理：
當入射光穿透不同物質(zhì)的界面時將會有部分的光被反射，由于光的波動性導致從多個界面的反射光彼此干涉，從而使反射光的多波長光譜產(chǎn)生震蕩的現(xiàn)象。從光譜的震蕩頻率，可以判斷不同界面的距離進而得到材料的厚度（越多的震蕩代表越大的厚度），同時也能得到其他的材料特性如折射率與粗糙度。
一、 二氧化硅薄膜：行業(yè)測量的基準
二氧化硅因其在極寬光譜范圍內(nèi)近乎無吸收（k≈0）且化學計量比穩(wěn)定（硅氧比接近1:2）的特性，常被視作理想的測量標準物質(zhì)。熱生長二氧化硅的光學響應高度規(guī)范，廣泛應用于厚度與折射率量具的校準。
優(yōu)尼康解決方案：
Filmetrics膜厚儀的白光干涉測量系統(tǒng)可精準測量 3nm至1mm 范圍內(nèi)的二氧化硅薄膜厚度，為您建立可靠的質(zhì)量基準。
二、 氮化硅薄膜：應對復雜組分的挑戰(zhàn)
與二氧化硅不同，氮化硅薄膜的測量挑戰(zhàn)顯著增加，其主要源于：
非化學計量比：實際沉積的薄膜其硅氮比常偏離3:4的理想值。
氧雜質(zhì)摻入：工藝過程中氧的滲入會形成氮氧化硅，使薄膜光學性質(zhì)復雜化。
因此，精確測量其厚度時，必須同步分析其折射率與消光系數(shù)。
技術(shù)突破：
面對這一行業(yè)難題，使用Filmetrics的氮化硅擴散模型，F(xiàn)20-UVX可在數(shù)秒內(nèi)實現(xiàn)“一鍵式”測量，全面解析氮化硅薄膜的厚度與光學常數(shù)，即使對于富硅、貧硅或含氧的復雜組分薄膜，也能提供精準表征。
三、 典型應用案例：氮化硅薄膜的全面表征
在半導體領域，氮化硅廣泛用作電介質(zhì)層、鈍化層和掩膜材料。
案例背景：
客戶需精確測量硅基底上氮化硅薄膜的厚度、折射率與消光系數(shù)，以監(jiān)控其工藝穩(wěn)定性。
優(yōu)尼康的方案與價值：
采用Filmetrics F20-UVX膜厚儀，我們不僅快速獲得了薄膜的厚度、折射率與消光系數(shù)，更通過先進的數(shù)據(jù)分析模型，揭示了薄膜光學性質(zhì)與其分子當量之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)。這使得客戶能夠：
精準監(jiān)控工藝：實時反饋沉積工藝的穩(wěn)定性與一致性。
優(yōu)化薄膜性能：根據(jù)測量結(jié)果調(diào)整工藝參數(shù)，獲得目標性能的薄膜。
提升產(chǎn)品良率：從源頭上控制材料特性，降低后續(xù)環(huán)節(jié)的失效風險。
使用設備：
使用軟件參數(shù)配置：
測量結(jié)果：
優(yōu)尼康科技始終致力于以精準數(shù)據(jù)，賦能您的研發(fā)與質(zhì)控。我們相信，真正的價值源于為客戶解決實際難題。
若您的項目正面臨電介質(zhì)薄膜測量的挑戰(zhàn)，歡迎您立即聯(lián)系我們，預約一次免費的專屬測樣服務。 只需寄出您的樣品，我們的應用工程師團隊將為您呈現(xiàn)一份清晰、精準、富有洞察力的數(shù)據(jù)報告，并與您共同解讀結(jié)果，探討解決方案。
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