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會議預(yù)告丨2024半導體先進技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機遇大會

2024-04-29 15:30:14 admin

把握機遇，凝聚向前。2024-半導體先進技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展和機遇大會將于2024年5月22-23日在蘇州·獅山國際會議中心組織舉辦。

本次會議將分別以“CHIP China晶芯研討會”和“化合物半導體先進技術(shù)及應(yīng)用大會”兩場論壇的形式同時進行。會議包括：半導體制造與封裝，化合物半導體材料與制備工藝、功率器件及應(yīng)用技術(shù)。展開泛半導體產(chǎn)業(yè)高端對話，促進參會者的交流信息與合作。

優(yōu)尼康科技有限公司總經(jīng)理李揚將在本次會議上做專題報告，與您一起探討化合物半導體領(lǐng)域的多種測量技術(shù)。

05.22

B會場——功率電子器件及應(yīng)用

16：00

化合物半導體領(lǐng)域多種量測技術(shù)分析與選擇 ——李揚

掃描上方二維碼即可注冊參會

時間截至5月21日

參會請?zhí)崆白?/p>

本次會議為收費會議，詳情請咨詢主辦方

參展設(shè)備


F50 膜厚測量儀
F50可以簡單地獲得直徑450毫米的樣品薄膜厚度分布圖。采用r-θ 極坐標移動平臺，可以快速定位所需的測試點并且實時獲得測試厚度，大約每秒測試兩點。
相關(guān)應(yīng)用：半導體制造（光刻膠、氧化物/氮化物/SOI、晶圓背面研磨）；LCD 液晶顯示器（聚酰亞胺、ITO 透明導電膜）；光學鍍膜（硬涂層、抗反射層）；MEMS 微機電系統(tǒng)（光刻膠、硅系膜層）。


Profilm3D 白光干涉光學輪廓儀
Profilm3D 使用垂直干涉掃描 (WLI) 與高精度的相位干涉 (PSI) 技術(shù)。以強大的性價比實現(xiàn)次納米級的表面形貌研究。
相關(guān)應(yīng)用：粗糙度測量;三維形貌表征;臺階高度測量